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高純度碳化硅SiC產(chǎn)品介紹
High-purity Silicon carbide
高純度碳化硅系列產(chǎn)品
前 述：碳化硅作為第三代寬禁帶半導體材料的代表，在禁帶寬度、擊穿電場、熱導率、電子飽和速率、抗輻射能力等關鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對高功率、高電壓、高頻率的需求，主要被用于制作高速、高頻、大功率及發(fā)光電子元器件。下游應用領域包括智能電網(wǎng)、新能源汽車、光伏風電、5G通信等，在功率器件領域有碳化硅二極管、MOSFET等已經(jīng)開始商業(yè)化應用。作為碳化硅晶錠的長晶基礎原材料也尤其重要，高品質(zhì)、高純度、高穩(wěn)定的碳化硅粉料才可以生長出品質(zhì)優(yōu)越且質(zhì)量穩(wěn)定的大尺寸晶錠從而生產(chǎn)出高品質(zhì)晶片襯底。
高純度碳化硅粉料-產(chǎn)品純度3N-6N
HP-SiC
HP-SiC
高純度碳化硅
High-purity Silicon Carbide
純 度：3N-6N（SiC含量：99.99998%）
粒 徑：2mm-5mm、0.8mm-2mm、0.4mm-0.8mm、0.2mm-0.4mm、0.2mm-0
結 構：3N-晶體結構為3C (β-SiC）屬于立方碳化硅，5N-晶體結構為6H，6N-晶體結構為4H。
特 點：純度高、顆粒規(guī)格豐富、品質(zhì)穩(wěn)定，3C-SiC碳化硅微粉具體吸波性能好、晶型完整、導熱系數(shù)高，電子遷移率、 擊穿電場強度、相對介電常數(shù)等電學性能各向同性等特點。
用 途：主要應用于制造單晶碳化硅晶體原料、粑材及其它電子、磨具及特殊陶瓷部件等。
高 純 度 粉 料 實 拍 圖 片 展 示
針狀-除碳料
顆粒狀-除碳料
針狀-未除碳料
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